Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/10477Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Zhevnyak, O. G. | - |
| dc.contributor.author | Borzdov, A. V. | - |
| dc.contributor.author | Speransky, D. S. | - |
| dc.contributor.author | Borzdov, V. M. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-05-30T11:39:57Z | - |
| dc.date.available | 2012-05-30T11:39:57Z | - |
| dc.date.issued | 2009 | - |
| dc.identifier.citation | Physics, Chemistry and Application of Nanostructures: Reviews and Short Notes. Proceedings of the International Conference on Nanomeeting 2009 (Minsk, Belarus, 26 – 29 May 2009). - 2009. - P. 573-576 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/10477 | - |
| dc.description.abstract | The electrophysical parameters of three-gate short n-channel MOSFETs in comparison with those of conventional single-gate MOSFETs are investigated. By means of Monte Carlo simulation such parameters as, in particular, electron energy and mobility are calculated. It is shown that under certain conditions the values of these parameters may be higher in three-gate MOSFETs. | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.publisher | World Scientific Pub Co Inc. | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Monte Carlo simulation of electron transport in deep submicron MOSFETs with three 40 nm gates | ru |
| Располагается в коллекциях: | Статьи | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Наномитинг2009.doc | 95,5 kB | Microsoft Word | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.