Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/10475Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Жевняк, О. Г. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-05-30T11:36:51Z | - |
| dc.date.available | 2012-05-30T11:36:51Z | - |
| dc.date.issued | 2009 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/10475 | - |
| dc.description.abstract | In this paper induced by drain voltage effects on electric potential in inversion layer of short channel MOSFETs are studied. It is shown there is the region with slow negative changing of potential in these devices. The principal parameters which control the negative behavior of electric potential in short channel MOSFETs are considered. The DIBL-effect are modeled by means of Monte Carlo simulation. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Материалы конференции ФММН2009 | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Эффекты влияния стока на электрический потенциал в инверсионном слое кремния в короткоканальных МОП-транзисторах | ru |
| Располагается в коллекциях: | Статьи | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ФММН2009.doc | 87 kB | Microsoft Word | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.