Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/10024
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Борздов, В. М. | - |
dc.contributor.author | Борздов, А. В. | - |
dc.contributor.author | Поздняков, Д. В. | - |
dc.contributor.author | Жевняк, О. Г. | - |
dc.contributor.author | Сперанский, Д. С. | - |
dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
dc.date.accessioned | 2012-05-25T08:15:55Z | - |
dc.date.available | 2012-05-25T08:15:55Z | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.citation | Международный конгресс по информатике: информационные системы и технологии: материалы международного научного конгресса 31 окт. – 3 нояб. 2011 г. : в 2 ч. Ч. 1. – Минск: БГУ, 2011. – C . 431-435. | ru |
dc.identifier.isbn | 978-985-518-563-6 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/10024 | - |
dc.description | Секция 5. Компьютерные технологии в приборостроении | ru |
dc.description.abstract | В докладе изложена методология численного моделирования полупроводниковых приборных структур СБИС и УБИС на основе метода Монте-Карло, а также представлены отдельные результаты расчета электрофизических параметров и электрических характеристик этим методом глубоко субмикронных интегральных МОП-транзисторов с длиной канала 100 нм с использованием разработанного авторами программного комплекса. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ОБЩЕСТВЕННЫЕ НАУКИ::Информатика | ru |
dc.title | Моделирование методом Монте-Карло приборных структур СБИС и УБИС | ru |
dc.type | Article | ru |
Располагается в коллекциях: | 2011. Международный конгресс по информатике : информационные системы и технологии. Часть 1. |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
pages from Конференция_1. 431-435pdf.pdf | 408,1 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.