Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/10013
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.-
dc.contributor.authorДжадан, М.-
dc.contributor.authorГайдук, П. И.-
dc.contributor.authorЧелядинский, А. Р.-
dc.contributor.authorЯвид, В. Ю.-
dc.contributor.authorЖуковский, П. В.-
dc.contributor.authorПартыка, Я.-
dc.contributor.authorВенгерек, П.-
dc.date.accessioned2012-05-25T08:01:26Z-
dc.date.available2012-05-25T08:01:26Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/10013-
dc.description.abstractИсследовано накопление радиационных дефектов в Si, имплантированном ионами B+ и P+, и образование остаточных нарушений (дислокационные петли,стержневые дефекты)при последующей термообработке. Наблюдаемые аномалии в образовании протяженных нарушений связываются с влиянием упругих напряжений в областях скоплений радиационных дефектов на процесс их кластеризации.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherФизика и химия обработки материаловru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleОстаточные дефекты в кремнии, имплантированном ионами бора и фосфораru
Располагается в коллекциях:Статьи

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
PhysChemObrabMat-2004.pdf289,79 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.