Logo BSU

Browsing by Author Звонков, Б. Н.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 6 of 6
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2017Анализ мощностных характеристик лазеров с вытекающей модой с широкозонными блокирующими слоями в активной областиАфоненко, A. A.; Ушаков, Д. В.; Алешкин, В. Я.; Дубинов, А. А.; Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М.; Байдусь, Н. В.; Дикарева, Н. В.
2002Генерация плазмонных мод на разностной частоте в многочастотных полупроводниковых лазерахАфоненко, А. А.; Алешкин, В. Я.; Звонков, Б. Н.
2017Динамика диаграммы направленности полупроводниковых лазеров с вытекающей модойСтецик, В. М.; Домащук, C. B.; Афоненко, A. A.; Ушаков, Д. В.; Алешкин, В. Я.; Дубинов, А. А.; Дикарева, Н. В.; Некоркин, С. М.; Звонков, Б. Н.
2015Мощностные характеристики InGaAs/GaAs/InGaP-лазеров с вытекающей модой.Афоненко, А. А.; Ушаков, Д. В.; Некоркин, С. М.; Звонков, Б. Н.; Байдусь, Н. В.; Вихрова, О. В.; Дикарева, Н. В.
2004Оптические свойства гетеро-сверхрешеток Gao .8Ino . 2 As-GaAsЗвонков, Б. Н.; Иодко, В. Н.; Кононенко, В. К.
2017Фоточувстветельные гетероструктуры приборного типа на длину волны 1,06 мкм с метаморфными буферными слоями InGaAsP на подложках GaAsСамарцев, И. В.; Некоркин, С. М.; Звонков, Б. Н.