Электронная библиотека БГУ: Просмотр

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Wesch, W.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:

Результаты 1 - 6 из 6

Предварительный просмотр	Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
	2012	Ion Beam Synthesis and Characterization of A3b5 Nanocrystals in Si And SiO2/Si for Optoelectronic Systems	Komarov, F.; VIasukova, L.; Milchanin, O.; Makhavikou, M.; Mudryi, A.; Wesch, W.; Ismailova, G.
	2013	Ion Beam Synthesis of InAs Nanocrystals in Si: Influence of Thin Surface Oxide Layers	Komarov, F.; Vlasukova, L.; Milchanin, O.; Greben, M.; Komarov, A.; Mudryi, A.; Wesch, W.; Wendler, E.; Zuk, J.; Kulik, M.; Ismailova, G.
	2011	Structure and Optical Properties of Silicon Layers with GaSb Nanocrystals Created by Ion-Beam Synthesis	Komarov, F.; Vlasukova, L.; Milchanin, O.; Mudryi, A.; Dunetz, B. S.; Wesch, W.; Wendler, E.; Karwat, C.
	2012	Structure and optical properties of silicon layers with GaSb nanocrystals created by ion-beam synthesis	Komarov, F.; Vlasukova, L.; Milchanin, O.; Mudryi, A.; Dunets, B.; Wesch, W.; Wendler, E.
	2014	Threshold and criterion for ion track etching in SiO2layers grown on Si	Vlasukova, L. A.; Komarov, F. F.; Yuvchenko, V. N.; Wesch, W.; Wendler, E.; Didyk, A. Yu.; Skuratov, V. A.; Kislitsin, S. B.
	2007	Применение высокодозной ионной имплантации для синтеза кристаллических преципитатов InAs в Si и SiO2	Купчишин, А. И.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Комаров, А. Ф.; Wesch, W.

Результаты 1 - 6 из 6