Получение пленок и гетероструктур на основе оксоиодида висмута и изучение их фотоэлектрохимических свойст

Abstract

Ключевые слова: оксоиодид висмута, фотоэлектрохимия, спектральная зависимость фототока, полупроводниковые пленки

Сформированы пленки BiOI и пленочные композиты In2O3/BiOI на проводящих подложках и проведена характеризация их микроструктуры и фазового состава. При исследовании фотоэлектрохимических свойств BiOI в различных редокс-системах был обнаружен эффект смены знака фототока в зависимости от потенциала электрода и длины волны падающего излучения, а также показано влияние атмосферы прогрева на величину фототока и его спектральную зависимость.