Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/9808
Заглавие документа: | Effect of Hydrostatic Pressure on Self-interstitial Diffusion in Si, Ge, Si<Ge> Crystals: Quantum-chemical Simulations |
Авторы: | Belko, V. I. Gusakov, V. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия ЭБ БГУ::ОБЩЕСТВЕННЫЕ НАУКИ::Информатика |
Дата публикации: | 2008 |
Библиографическое описание источника: | Gusakov, V. Effect of Hydrostatic Pressure on Self-interstitial Diffusion in Si, Ge, Si<Ge> Crystals: Quantum-chemical Simulations / V. Gusakov [et al.] // Solid State Phenomena. – 2008. – Vol. 131-133 .– P. 271-275 |
Аннотация: | A theoretical modeling of the diffusion of self-interstitials in silicon and germanium crystals both at normal and high hydrostatic pressure has been carried out using molecular mechanics, semiempirical (PM3, PM5) and ab-initio (SIESTA) methods. According to the simulation for the Si and Ge neutral interstitials (I0) both in silicon and germanium crystals more stable configuration is <110> split interstitial. T is the stable configuration for the double positive interstitial I++, but the interstitial is displaced from the high-symmetry site. Stability of <110> splitinterstitial is not changed under hydrostatic pressure. The activation barriers for the diffusion of interstitials were determined and equal to ΔEa(Si)(<110> -> T1)=0.69 eV; ΔEa (Ge)(<110> -> T1)=1.1 eV. For mixed interstitials the calculated activation barriers equal SiEmix = 1.06 eV, GeEmix = 0.86 eV. Hydrostatic pressure decreases the activation barriers ΔEa(Si), ΔEa (Ge). |
Доп. сведения: | Официальная ссылка на текст работы: http://www.scientific.net/SSP.131-133.271 |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/9808 |
Располагается в коллекциях: | Статьи факультета прикладной математики и информатики |
Полный текст документа:
Нет файлов, ассоциированных с этим документом.
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.