Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/51028| Заглавие документа: | Исследование методом микроиндентирования имплантированных низкоэнергетичными ионами Sb+ структур фотополимер-кремний |
| Авторы: | Бринкевич, Д. И. Вабищевич, Н. В. Волобуев, В. С. Лукашевич, М. Г. Просолович, В. С. Оджаев, В. Б. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 208-211. |
| Аннотация: | В настоящей работе методом микроиндентирования исследовались физико-механические характеристики промышленного фоторезиста ФП 9/20 на основе фенолформальдегидных смол. Приведенные экспериментальные данные указывают на то, что процессы радиационного дефектообразования при низкоэнергетичной ионной имплантации структур фотополимер – кремний протекают далеко за областью проецированного пробега ионов Sb. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/51028 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Д. И. Бринкевич, Н. В. Вабищевич, В. С. Волобуев,М.Г. Лукашевич, В.С. Просолович, В.Б. Оджаев.pdf | 846,5 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.