Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/50741
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorApanasovich, V. V.-
dc.contributor.authorBaranouski, A. K.-
dc.date.accessioned2013-11-05T06:31:01Z-
dc.date.available2013-11-05T06:31:01Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/50741-
dc.description.abstractImpact ionization was simulated in thin multiplication region ~(0.1ч0.2)·10-4 cm confined by cylinder microplasma volume with using particle-based method. Direct calculation of Coulomb repulsion between avalanche electrons is distinctive feature of this simulation. Avalanche spatial bounds were analyzed depending on angle of scattering and electric field intensity. Microplasma pulse width dependence on angle of scattering was introduced. Determined microplasma pulse width enables to evaluate dead time in random number generators.ru
dc.language.isoenru
dc.publisherМинск: БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ОБЩЕСТВЕННЫЕ НАУКИ::Информатикаru
dc.titleParticle-Based Simulation Of Electron Avalanche In Silicon Microplasmaru
dc.typeArticleru
Располагается в коллекциях:2004. Международная конференция “Моделирование процессов и систем”

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
1_4.pdf53,44 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.