Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48735
Заглавие документа: ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF CARBON- AND PHOSPHORUS-IMPLANTED ULTRANANOCRYSTALLINE DIAMOND FILMS
Авторы: Polyakov, V. I.
Hu, X. J.
Xu, H.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2013
Аннотация: Carbon or phosphorus ions with doses 1012 cm-2 and 1014 cm-2 were implanted into ultrananocrystalline diamond (UNCD) films in order to produce low resistivity n-type diamond structures. The effects of carbon (phosphorus) ion dose and annealing at temperatures from 800 to 1000 °C on the electrical and optical properties of UNCD films have been investigated by Hall effect, Raman and Charge-based Deep Level Transient Spectroscopy (Q-DLTS) measurements. The capacitance characteristics and kinetics of the photoresponse were studied also. Q-DLTS spectra of the ion-implanted UNCD films show a continuous energy spectrum of electron traps with two peaks. The first with Eact ≈ 0.08 eV corresponds to point defects which are determine the n-type conductivity of ion-implanted UNCD films and another peak is induced by the surface absorption of predominantly hydrogen groups on the active surface of diamond.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48735
Располагается в коллекциях:2013. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Polyakov.pdf417,1 kBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.