Ионно-радиационные методы модификации материалов : учебная программа для специальности 1-31 04 01 Физика (по направлениям) (1-31 04 01-01 научно-исследовательская деятельность) № УД - 2029/баз.

Abstract

Программа "Ионно-радиационные методы модификации материалов" разработана для специальности 1-31 04 01 Физика (по направлениям). Целью курса является формирование у студентов основных представлений об использующихся в настоящее время в электронике ионно-радиационных технологиях модификации материалов, развитие полученных знаний и навыков для последующей работы в области модификации материалов полупроводниковой электроники при помощи ионно-радиационных воздействий, формирование у будущих специалистов основополагающих принципов оценки возможности использования соответствующих технологий для разработки методов создания конкретных элементов и устройств электронной техники. Центральное место в проблеме производства и качества продукции занимают современные технологические процессы, которые в настоящее время определяют развитие электронной отрасли промышленности. Разработка и освоение в производстве новых технологий, среди которых ведущее место занимают ионно-радиационные, является необходимым условием научно-технического прогресса в области микроэлектроники. В связи с этим глубокое понимание физической сущности процессов, происходящих в полупроводниковых материалах и структурах на их основе, является необходимым условием успешной профессиональной деятельности специалиста, имеющего квалификацию «Физик. Исследователь», работающего в области физики полупроводниковых материалов и приборов. В данном курсе рассмотрены физические принципы и явления, лежащие в основе современных ионно-радиационных технологий, применяемых в микроэлектронике, как наиболее наукоемкой отрасли производства. Даны основные понятия ионной технологии твердых тел и ее основные параметры, физические основы катодного распыления, методы ионного распыления, технологические особенности ионно-плазменного распыления, трансмутационного легирования, корректировки эксплуатационных параметров полупроводниковых приборов ионизирующими излучениями. Анализируются достоинства и недостатки каждого из методов, их применимость для реализации в конкретных видах полупроводниковых приборов в зависимости от их электрофизических, оптических, рекомбинационных, магнитных свойств.