Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304793
Заглавие документа: | Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов |
Авторы: | Ковальчук, Н.С. Ластовский, С.Б. Оджаев, В.Б. Петлицкий, А.Н. Просолович, В.С. Шестовский, Д.В. Явид, В.Ю. Янковский, Ю.Н. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
Дата публикации: | 10-мая-2023 |
Издатель: | Российская академия наук, Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН |
Библиографическое описание источника: | Микроэлектроника. – 2023. – Т. 52, № 4. – С. 307–314. |
Аннотация: | Представлены результаты исследований электрофизических параметров p-i-n-фотодиодов на основе кремния в зависимости от режимов их работы (величины внешнего смещения и температуры), изготовленных на пластинах монокристаллического кремния p-типа проводимости ориентации (100) с ρ = 1000 Ом см. Область p+-типа (изотипный переход) создавалась имплантацией ионов бора, области n+-типа ‒ диффузией фосфора из газовой фазы. Установлено, что на вольт-амперных характеристиках при обратном смещении можно выделить три области изменения темнового тока в зависимости от приложенного напряжения: сублинейную, суперлинейную и линейную, обусловленные различными механизмами генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-n-перехода. Заметная зависимость величины барьерной емкости (на частоте 1 кГц) и размеров области обеднения от температуры наблюдается только при приложенных обратных напряжениях, не превышающих контактную разность потенциалов (V ≤ 1 В) |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304793 |
DOI документа: | 10.31857/S054412692370045X |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
MEL0307.pdf | 1,77 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.