Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292873| Title: | Влияние отжига на фононные и электронные свойства графена на SiO2/Si и Al2O3 |
| Other Titles: | The effect of annealing on phonon and electron properties graphene on SiO2/Si and Al2O3 / E. A. Kolesov, M. S. Tivanov, O. V. Korolik, I. A. Svito, A. S. Antonovich, O. O. Kapitanova, G. N. Panin |
| Authors: | Колесов, Е. А. Тиванов, М. С. Королик, О. В. Свито, И. А. Антонович, А. С. Капитанова, О. О. Панин, Г. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 423-430. |
| Abstract: | В настоящей работе представлены исследования электронных и фононных свойств графена на подложках SiO2/Si и Al2O3 методом спектроскопии КРС в диапазоне температур от комнатной до 550 °C с одновременными измерениями электрического сопротивления. Установлено, что удаление воздуха из вакуумной камеры приводит к понижению концентрации дырок в материале, различному для случаев разных подложек. Коэффициенты температурного сдвига линий КРС зависели от материала подложки и имели различные значения при первом нагреве и последующих изменениях температуры, что связано с усилением взаимодействия графена с подложкой за счёт перехода от «квазиподвешенного» графена к единой системе графенподложка в процессе нагрева образцов. Температурные зависимости соотношения интенсивностей линий КРС I2D/IG и сопротивления показали наличие конкуренции между удалением легирующих адсорбатов с поверхности графена (снижение концентрации дырок) и снижением расстояния графен-подложка с легированием подложкой (повышение концентрации дырок), причём вклад последнего механизма превалировал. Результаты настоящего исследования могут быть использованы при проектировании молекулярных сенсоров и других устройств наноэлектроники на основе графена |
| Abstract (in another language): | This work presents studies of the electronic and phonon properties of graphene on SiO2/Si and Al2O3 by Raman spectroscopy in the temperature range from room to 550°C with simultaneous electrical resistance measurements. Removal of air from the vacuum chamber was shown to lead to a decrease in the hole density in the material, different for the cases of different substrates. Raman peak temperature shift coefficients depended on the substrate material and had different values during the first heating and subsequent temperature changes, which was associated with an increase in the interaction of grapheme with the substrate due to the transition from “quasi-suspended” graphene to a conformed graphene-substrate system due to heating. Ratio of Raman intensities I2D/IG and resistance temperature dependencies showed a competition between the removal of p-type adsorbates from the graphene surface (hole density decrease) and an increase in the graphene-substrate conformity with a substrate-induced doping (hole density increase), and the contribution of the latter mechanism prevailed. The results of this study can be used in the design of molecular sensors and other graphene-based nanoelectronic devices |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292873 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 423-430.pdf | 592,43 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.