Структурные, оптические и электрические свойства тонких пленок на основе халькогенидов и элементов подгруппы углерода, перспективных для создания солнечных элементов. ГПНИ «Физическое материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма «Материаловедение и технологии материалов», задание 1.06 : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель М. С. Тиванов

Abstract

Объекты исследования – тонкие пленки соединений CZTX, MoS2, In2S3, а также твердые растворы кремний-германий. Цель работы – установление корреляций между условиями синтеза исследованных объектов, их структурой, фононными, оптическими и электрофизическими свойствами. Методы исследования – сканирующая электронная и зондовая микроскопия, рентгенодифракционный анализ, спектроскопия комбинационного рассеяния света, измерение электрофизических характеристик. В результате исследования установлены корреляции между условиями синтеза и составом пленок CZTX, MoS2, In2S3, а также твердых растворов кремний-германий, их структурой, фононными, оптическими и электрофизическими свойствами. В частности, установлено влияние режимов селенизации (сульфуризации) на элементный состав, кристаллическую структуру, морфологию и оптические свойства тонких пленок CZTSe и MoS2. Показано, что четырехфононные процессы являются основным фактором наблюдаемых температурных изменений положения и полуширины линий в спектрах комбинационного рассеяния пленок CZTSe. Экспериментально показана возможность неразрушающего определения фундаментальных параметров (ширины запрещенной зоны, длины диффузии неосновных носителей заряда) пленок In2S3 методом спектроскопии фотоэдс. Показано, что обработка в водородной плазме приводит к сдвигу в сторону более низких частот полос Si-Si, Ge-Ge и Si-Ge в спектрах комбинационного рассеяния света твёрдых растворов кремний-германий.