Определение коэффициента потерь усиленной люминесценции линеек лазерных диодов при пороговом токе генерации

Abstract

Полупроводниковые лазеры находят все более широкое применение в промышленности в качестве самостоятельных источников излучения, устройств накачки твердотельных и волоконных лазеров. Причиной этого является их высокий кпд (около 50%), малые геометрические размеры и простота питания. Во всём мире производители стремятся повысить мощность излучения полупроводниковых лазеров. Один из способов – это увеличение размера контакта питания, однако он имеет границу применимости, так как при его увеличении с определённого момента резко увеличиваются потоки усиленной люминесценции (УЛ). В данной ситуации едва ли не единственно возможным способом повышения выходной мощности излучения является создание интегрального монолитного излучателя, который содержит 50-100 однополосковых структур. Далее данную структуру именуем как лазерную линейку диодов (ЛЛД).