Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271756| Заглавие документа: | Влияние шероховатости поверхности на лазерные свойства InGaN/GaN гетероструктур, выращенных на кремнии |
| Другое заглавие: | Influence of surface roughness on the laser properties of InGaN/GaN heterostructures grown on silicon / A. V. Danilchyk, A. V. Nahorny, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko |
| Авторы: | Данильчик, А. В. Нагорный, А. В. Павловский, В. Н. Луценко, Е. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 236-240. |
| Аннотация: | В данной работе исследованы излучательные свойства гетероструктур InGaN/GaN, выращенных на кремниевых подложках с различным дизайном и толщинами квантовых ям, при оптическом возбуждении. Установлена корреляция лазерных и фотолюминесцентных свойств с морфологией поверхности покровных слоев нитрида галлия. Показана зависимость шероховатости поверхности и плотности дефектов от условий роста и толщины слоя квантовых ям InGaN |
| Аннотация (на другом языке): | In this work, we investigated the radiative properties of InGaN/GaN heterostructures grown on silicon substrates with different designs and quantum wells thicknesses under optical excitation. The correlation of the laser and photoluminescent properties with the surface morphology of the gallium nitride cap layers, their surface roughness, pinhole and cracks surface density has been established. In turn, the surface roughness and defect density was shown to depend on the growth conditions and the thickness of the InGaN layer |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271756 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Номер, дата депонирования: | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 236-240.pdf | 1,26 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.