Численное моделирование влияния лазерного излучения на электрические характеристики субмикронных КНИ-МОП-структур : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. Борздов

Abstract

Объект исследования – субмикронный КНИ-МОП-транзистор. Цель работы – создание физико-математических моделей, алгоритмов и программ для моделирования многочастичным методом Монте-Карло электрофизических свойств и электрических характеристик субмикронных КНИ-МОП структур в условиях воздействия лазерного излучения. В результате разработаны оригинальные физико-математические и численные модели, описывающие процессы переноса носителей заряда в субмикронных КНИ-МОП структурах при воздействии внешнего электромагнитного излучения видимого и инфракрасного диапазонов. Разработаны алгоритмы и программы для расчета электрических характеристик субмикронных КНИ-МОП структур и исследовано влияние электромагнитного излучения на эти характеристики. Результаты НИР могут быть использованы для расчета электрофизических параметров и электрических характеристик КНИ-МОП-структур и полевых транзисторов на их основе с учетом влияния на них лазерного излучения. Результаты расчетов могут быть использованы в других программах моделирования (например, для расчета SPICE-параметров в программах схемотехнического моделирования). Полученные результаты могут быть использованы при проектировании и производстве интегральных субмикронных КНИ-МОП-транзисторов в ОАО “Интеграл” – управляющей компании холдинга “Интеграл”.