Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257293| Заглавие документа: | Адгезионные и прочностные свойства пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии, облученных гамма-квантами |
| Другое заглавие: | Adhesion and strength properties of diazoquinone-novolach photoresist films on silicon, irradiated with gamma-quanta / S. A. Vabishchevich, D. I. Brinkevich, N. V. Vabishchevich, V. S. Prosolovich, Y. M. Yankouski |
| Авторы: | Вабищевич, С. А. Бринкевич, Д. И. Вабищевич, Н. В. Просолович, В. С. Янковский, Ю. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 161-166. |
| Аннотация: | Методом микроиндентирования исследованы структуры фоторезист ФП 9120–кремний, облученные γ-квантами 60Со дозами до 300 кГр. Облучение γ-квантами приводит к снижению микротвердости структур фоторезист-кремний при нагрузках 5 г и выше, что связано с ухудшением адгезии пленки диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120 к кремнию после γ-облучения. Удельная энергия отслаивания пленок фоторезиста толщиной 1,0 мкм снижается после облучения γ-квантами в 1,5–4 раза, что обусловлено, вероятнее всего, разрывом связей Si–O–C на границе раздела фоторезист-кремний. Заметные изменения прочностных и адгезионных свойств структур фоторезист-кремний наблюдались при дозах γ-квантов свыше 200 кГр |
| Аннотация (на другом языке): | Photoresist FP9120 – silicon structures irradiated with 60Co γ-quanta at doses up to 300 kGy were studed by the microindentation method. Irradiation with γ-quanta leads to a decrease in the microhardness of the photoresist-silicon structures at loads of 5 g andhigher. This is due to the deterioration in the adhesion of the film of diazoquinone-novolac photoresist FP 9120 to silicon after γ-irradiation. The specific peeling energy of the 1.0 μm thick photoresist films decreases after irradiation with γ quanta by a factor of 1.5–4, which is most likely due to the breaking of Si–O–C bonds at the photoresist–silicon interface. Changes in the strength and adhesive properties of the photoresist-silicon structures were observed at doses of γ-quanta above 200 kGy |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257293 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 161-166.pdf | 665,34 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.