Структура, оптические и электрические свойства тонких пленок Cu2SnS3 : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель М. С. Тиванов

Abstract

Объектом исследования являлись тонкие пленки полупроводникового соединения Cu2SnS3, синтезированные методом термической диффузии халькогена (S) в интерметаллические слои Cu/Sn, осажденные в различной последовательности методом вакуумного испарения. Цель работы: установление закономерностей влияния условий синтеза на структуру, оптические и электрические свойства тонких пленок Cu2SnS3. В результате методами рентгенофазового и энергодисперсионного анализов, сканирующей электронной микроскопии, а также спектроскопии комбинационного рассеяния установлено, что в процессе синтеза методом термической диффузии халькогена (S) в интерметаллические слои Cu/Sn, осажденные в различной последовательности методом вакуумного испарения на подложку Mo, образуется соединение Cu2SnS3,имеющее моноклинную и тетрагональную фазы; также обнаружено присутствие фаз Sn2S3, SnS2 и подслоя MoS2. Исследования электрофизических характеристик сформированных полупроводниковых гетероструктур Cu2SnS3/In2S3 свидетельствуют о том, что данные гетороструктуры демонстрируют ярко выраженную асимметрию вольт-амперных характеристик (отношение обратного и прямого токов при напряжении 0,5 В порядка 10-3–10-2) и небольшую контактную разность потенциалов (в пределах 0,2 В), что может быть использовано для создания выпрямляющих устройств, характеризующихся малой мощностью, выделяющейся при пропускании прямого тока.