Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233947
Заглавие документа: | Характеризация методом рор процесса формирования слоев силицида платины при быстрой термообработке системы платина-кремний |
Другое заглавие: | RBS Characterization of Platinum Silicide Layer Formation by Rapid Thermal Processing of Platinum-Silicon System / V.A. Solodukha, O.V. Milchanin, V.А. Pilipenkо, I.V. Ushakov, V.A. Gorushko |
Авторы: | Солодуха, В. А. Мильчанин, О. В. Пилипенко, В. А. Ушаков, И. В. Горушко, В. А. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2019 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 316-319. |
Аннотация: | Проведены исследования структурно-фазовых изменений системы платина-кремний при быстрой термообработке в среде азота в диапазоне температур от 200 0 С до 550 0 С с шагом 50 К и времени 7 с. Показана высокая эффективность процесса БТО для формирования термостабильных силицидов платины в системе (наноразмерная пленка (40 нм) Pt)/(Si (111) подложка). В диапазоне температур 200 0 С≤Т≤300 0 С за 7 с процесса БТО на границе металлической пленки с подложкой происходит наращивание слоя Pt2Si за счет диффузии атомов Pt в кремний через слой растущего силицида. Температуре Т=300 0 С характерно полное использование пленки Pt за 7 с в процессе силицидообразования однофазной системы Pt2Si. При 350 0 С≤Т<450 0 С регистрируется формирование двухфазной системы Pt2Si→PtSi, начиная от межфазной границы Si/Pt2Si преимущественно за счет встречной диффузии атомов Si в слой Pt2Si. Температуре БТО Т=450 0 С соответствует образование термостабильной равновесной структуры PtSi по всей толщине силицида, что на 50-100 0 С ниже и значительно быстрее, чем при длительной равновесной термообработке. |
Аннотация (на другом языке): | The paper covers the performed investigations of the structural-phase changes of the system Platinum-Silicon during the rapid thermal treatment (RTT) in the nitrogen medium within the temperature range from 200 0 С to 550 0 С with a step of 50 К and the time period of 7 s. There was demonstrated high effectiveness of the RTT process for formation of the thermal stable platinum silicides in the system (nano-dimensional film (40 nm) Pt)/(Si (111) substrate). Within the temperature range of 200 0 С≤Т≤300 0 С during 7 s of the RTT process on the border of the metallic film with the substrate there takes place growth of the layer Pt 2 Si at the expense of the Pt atoms diffusion into silicon through the layer of the growing silicide. It is peculiar for the temperature Т=300 0 С to use completely the film of Pt for 7 s in the process of the silicide formation of the single phase system of Pt2Si. At 350 0 С≤Т<450 0 С formation is registered of the double phase system of Pt2Si→PtSi, starting from the inter-phase boundary of Si/Pt2Si predominantly at the expense of the oncoming diffusion of Si atoms into the layer of Pt2Si. The RTT temperature Т=450 0 С marks formation of the thermal stable balanced structure of PtSi along the entire thickness of silicide, which is 50-100 0 С lower and substantially faster, than during the continuous balanced thermal treatment. |
Доп. сведения: | Секция 3. Модификация свойств материалов = Section 3. Modification of Material Properties |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233947 |
ISSN: | 2663-9939 |
Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
316-319.pdf | 653,04 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.