Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233899
Заглавие документа: | Влияние ионизирующего излучения на характеристики приборов полупроводниковой электроники |
Другое заглавие: | Effect of Ionizing Radiation on Characteristics of Semiconductor Devices / Sergei Miskiewicz, Fadei Komarov, Alexander Komarov, Galina Zayats, Vera Yuvchenko |
Авторы: | Мискевич, С. А. Комаров, Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Заяц, Г. М. Ювченко, В. Н. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2019 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 163-165. |
Аннотация: | В настоящей работе рассмотрены радиационные эффекты, возникающие в полупроводниковых материалах при воздействии на них ионизирующих излучений различного типа и энергии. Показаны механизмы, посредством которых происходят изменения рабочих характеристик полупроводниковых приборов. Разработана физико-математическая модель радиационных повреждений биполярных транзисторов. Реализован метод расчета распределения неравновесных носителей заряда по рабочим областям биполярного транзистора как в одномерном, так и в двумерном приближении. Выявлены различия в радиационной стойкости транзисторов, работающих в разных режимах и с разной топологией, и определены их оптимальные значения. Приведены основные результаты моделирования, которые показывают хорошее соответствие с экспериментальными данными. |
Аннотация (на другом языке): | Radiation effects of ionizing corpuscular and electromagnetic radiation on semiconductors and semiconductor devices were investigated. The model of radiation-induced changes in semiconductor devices such as BJT was developed. It is based on continuity equation solving and used to calculate the 1D and 2D distribution of non-equilibrium charge carriers in areas of BJT and changes in input and output characteristics and current gain. The simulation results and the experimental data are shown. |
Доп. сведения: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233899 |
ISSN: | 2663-9939 |
Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
163-165.pdf | 659,02 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.