Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233888| Заглавие документа: | Влияние температуры на накопление дефектов в кремнии при облучении протонами |
| Другое заглавие: | Influence of Temperature to Accumulation of Defects in Silicon at Implantation of Protons / Victor Asadchikov, Irina Dyachkova, Denis Zolotov |
| Авторы: | Асадчиков, В. Е. Дьячкова, И. Г. Золотов, Д. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 130-133. |
| Аннотация: | Методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии исследован характер искажений приповерхностного слоя кристаллов кремния, при имплантации ионов водорода с энергией 150 кэВ и дозами 2.5·10 15 , 5·10 15 , 1·10 16 , 2·10 16 см-2 при температурах 50, 140, 230, 320, 430, 550, 610°С. Для всех образцов определены интегральные характеристики нарушенного слоя, а именно, эффективная толщина и относительное изменение параметра кристаллической решетки. При облучении протонами кремния выявлено наличие критической температуры ≈ 430°С, способствующей образованию слоя в имплантируемых кристаллах, с наибольшими нарушениями. На основе качественного анализа показано, что в формировании нарушенного слоя в кристаллах кремния участвуют два типа междоузельных дефектов, проявляющихся при температурах около 140 и 430°С. |
| Аннотация (на другом языке): | The method two-crystalline x-ray diffractometry investigates character of distortions of a superficial layer of silicon crystals, at implantation of ions of hydrogen with energy 150 keV and dozes 2.5·10 15 −2·10 16 sm-2 at temperatures 50−610°С. For all samples the integrated characteristics of a broken layer, namely, effective thickness and relative change of parameter of a crystal lattice are determined. It was found, that with an increase in the dose, the disturbed volume and deformation increase approximately twice. With an increase in the irradiation temperature to 430°C, the effective thickness of the disturbed layer and the average deformation in it increase. It can be assumed that the increase in the number of radiation disturbances at these irradiation temperatures is due to the competing process of recombination of primary radiation defects and their diffusion spatial separation in the crystal volume. The action of the latter process shifts the point of the most effective formation of the layer deformed by radiation defects towards elevated temperatures. At implantation of protons presence of critical temperature ≈430°С, promoting to formation of a layer of the greatest infringements is revealed. Is shown, that the implantation of protons at temperatures large 600°С does not create in a crystal of a broken layer. Based on the qualitative analysis is shown, that in formation of a broken layer participate two types of interstitial defects, shown at temperatures about 140 and 430°С. |
| Доп. сведения: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233888 |
| ISSN: | 2663-9939 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования в рамках выполнения работ по Государственному заданию ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН в части «облучения образцов протонами, анализа КДО и расчета интегральных характеристик» и Российского фонда фундаментальных исследований (Проект № 19-02-00556 А) в части «рентгеновских исследований». |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 130-133.pdf | 620,7 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.