Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233867| Заглавие документа: | Влияние облучения ионами бора омических контактов Mo/p+Si на свойства СВЧ-транзисторов |
| Другое заглавие: | Influence of Irradiation by Boron Ions of Mo/p+Si Ohmiccontacts on the Properties of Microwave Transistors / Yu. Snitovsky |
| Авторы: | Снитовский, Ю. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 555-557. |
| Аннотация: | Изучено влияние облучения ионами бора сформированных омических контактов Mo/p + Si к базе (p + -области) на свойства кремниевого эпитаксиально-планарного n–p–n СВЧ-транзистора. Имплантация бора была выполнена дозой 6.25∙10 14 ион/см2. Для повышения технологичности прибора в ходе облучения контактов варьировалась степень легирования базы. Доза легирования p + -области снижалась от 6.875∙10 15 до 2.5∙10 15 ион/см2. Данные измерения параметров транзисторов после проведения операции облучения контактов показали, что уменьшение дозы легирования p + -области вплоть до 2.5∙10 15 ион/см2 не приводит к деградации параметров активных планарных структур. Облучение контактов Mo/p + Si к базе (p + -области) СВЧ-транзисторов ионами бора и термообработка при 500 C приводит к снижению величины токов утечки p–n-переходов. Возможно снижение величины дозы легирования базы по сравнению с применяемой в производстве СВЧ-транзисторов ~ в 2 раза, что сократит время проведения операции легирования ~ в 2раза. Процесс исследован на системе молибден – кремний как одной из самых распространенных при производстве приборов, имеющих мелкозалегающие p–n-переходы. |
| Аннотация (на другом языке): | In this work, the author has shown that implantation boron through the film of molybdenum and the possibility of its use in the manufacturing of base (p + region) of silicon epitaxial-planar n–p–n microwave transistors in the frequency range ≥1 GHz can take place. The transistors used epitaxial structures grown on Si (111) that complied with the 7KEEF1.5/380EKES0.01 specification. The implantation boron through the film of molybdenum was carried out a fluence 6.25∙10 14 ion/cm2. The implantation p + region was carried out a fluence ranging between 6.875∙10 15 and 2.5∙10 15 ion/cm2. Measuring parameters (leakage current of the p–n junction of collector–base I CB0 , emitter–base I EB0 and collector–emitter region I CE0 , emitter resistance RE, gain h21E and carrier-storage time constant τ) of transistors after the operation of irradiation of contacts showed that reducing the fluence of doping of the p + base area up to 2.5∙10 15 ion/cm 2 does not lead to significant changes in value of parameters of transistors. Only an increase in leakage currents of the p–n junctions was noted, which in some cases exceed the maximum permissible values (1∙10 −5 A). Irradiation of contacts to the p + base with boron ions and heat treatment at 500 °C leads to a decrease in the magnitude of leakage currents of the p–n junctions, to a certain decrease in the resistance of the emitter and to an increase in the gain of the transistors. It is possible to reduce the amount of the p + base doping fluence in comparison with that used in the production of silicon epitaxial–planar n–p–n microwave transistors by at least 2 times, which reduces the time of the doping operation by the same amount and provides decrease of labor input and improvement of parameters of active structures of microwave transistors. |
| Доп. сведения: | Секция 6. Современное оборудование и технологии = Section 6. Advances in Equipment and Technologies |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233867 |
| ISSN: | 2663-9939 |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 555-557.pdf | 322,36 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.