Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/226302| Заглавие документа: | Исследование структуры арсенида галлия, облученного ионами аргона и фосфора в самоотжиговых режимах |
| Авторы: | Акимов, А. Н. Власукова, Л. А. Гусаков, Г. А. Мильчанин, О. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1998 |
| Издатель: | Минск : Універсітэцкае |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1998. – № 1. – С. 38-42. |
| Аннотация: | The structure transformations in GaAs irradiated with Ar+ and P+ ions at the ion beam currents 3 and IµA/cm2 respectively in the fluence interval (0,6-6) * 1015Cm-2 have been investigated using Transmission electron microscopy and Rutherford backscattering and channeling. It has been found that ion-beam-induced crystallization (IBIC) in the GaAs layer amorphyzed at the earlier irradiation stages takes place at dose 3 * 1015cm-2. In spite of the lesser heat of a sample the restoration degree of the GaAs crystalline lattice is essentially larger at the implantation of the isovalent phosphorus than at the implantation of inert argon. The observed effect has been explained by the difference of IBIC mechanisms. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/226302 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда фундаментальных исследований Республики Беларусь. |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 1998, №1 (январь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.