Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/216788
Заглавие документа: | Pulsed laser treatment and photoluminescence of selenium implanted silicon |
Авторы: | Nechaev, N. S. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
Дата публикации: | 2018 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | 75-я научная конференция студентов и аспирантов Белорусского государственного университета [Электронный ресурс] : материалы конф. В 3 ч. Ч. 3, Минск, 14–23 мая 2018 г. / Белорус. гос. ун-т, Гл. упр. науки ; редкол.: В. Г. Сафонов (пред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 548-551. |
Аннотация: | Silicon supersaturated with selenium is a promising material for intermediate-band solar cells and extended infrared photodiodes. Selenium-rich layers were fabricated by Se ion implantation followed by pulsed laser annealing. Rutherford backscattering (RBS) with channeling, Raman scattering, scanning electron and optical microscopy as well as photoluminescence techniques were used for diagnostics of structural and optical properties of Se-rich silicon layers. It has been shown that laser irradiation leads to silicon recrystallization and significant impurity redistribution in the implanted layer. According to the RBS/channeling data, the substitutional fraction of incorporated Se atoms in silicon lattice after laser treatment is 60–80%. Analysis of photoluminescence spectra has been revealed that pulsed laser irradiation of the implanted layer with W = 1.5 J/cm 2 leads to formation of vacancy and interstitial clusters. As the energy in the pulse increases, the bands related with these types of defects disappear from the photoluminescence spectra |
Доп. сведения: | Факультет радиофизики и компьютерных технологий |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/216788 |
ISBN: | 978-985-566-658-6; 978-985-566-683-8 (ч. 3) |
Располагается в коллекциях: | 2018. Научная конференция студентов и аспирантов БГУ. В трех частях |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
548-551.pdf | 427,48 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.