Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215203| Заглавие документа: | Осаждение пленок оксида кремния с использованием плазменной активации при производстве интегральных схем |
| Другое заглавие: | Plasma enchanced deposition of silicon oxide film for producing of integrated circuits / O. Y. Nalivaiko, A. S. Turtsevich, G. V. Lepeshkevich, E. N. Pshenichny |
| Авторы: | Наливайко, О. Ю. Турцевич, А. С. Лепешкевич, Г. В. Пшеничный, E. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 86-91. |
| Аннотация: | Показано, что с увеличением диаметра пластин и уменьшением проектных норм для осаждения пленок оксида кремния с плазменной активацией предпочтительным становится использование реакторов поштучной обработки. Использование таких реакторов позволяет существенно сократить длительность обработки пластин, повысить однородность и воспроизводимость свойств получаемых пленок. Представлены основные тенденции процессов осаждения пленок оксида кремния с применением моносилана и тетраэтоксисилана. Результаты могут быть использованы для производства электронных компонентов. |
| Аннотация (на другом языке): | It was shown that the single wafer reactors are getting preferable for plasma enhanced deposition of silicon oxide films as wafer diameter is increased and design ruled are decreased . They allow to improve the uniformity and repeatability of obtained films and to make shorter the duration of wafer processing. It were presented the main process trends for deposition of silicon oxide using silane and tetraethylorthosilicate. These results can be used by process engineers. |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215203 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.