Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215200| Заглавие документа: | Температурная зависимость подвижности электронов в монокристаллическом полупроводниковом дисилициде бария |
| Другое заглавие: | Electron mobility versus temperature on the monocrystall semiconductor barium disilicide / D. A. Shohonov, I. S. Samusevich, A. B. Filonov, D. B. Migas |
| Авторы: | Шохонов, Д. А. Самусевич, И. С. Филонов, А. Б. Мигас, Д. Б. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 79-82. |
| Аннотация: | Проведено моделирование температурной зависимости подвижности электронов в монокристалле полупроводникового дисилицида бария (BaSi2). Моделирование проводилось на основе экспериментальных данных подвижности электронов в поликристаллическом BaSi2. Установлено, что для монокристаллического BaSi2 можно ожидать увеличения значения подвижности электронов при комнатной температуре в сравнении с поликристаллическим BaSi2 из-за отсутствия рассеяния на межзеренных границах и уменьшения электрон-фононного рассеяния в приближении потенциала деформации. |
| Аннотация (на другом языке): | The dependence of the electron mobility versus temperature in monocrystalline semiconducting barium disilicide (BaSi2) has been simulated. The simulation was carried out on the basis of experimental data on electron mobility in polycrystalline BaSi2. We demonstrate that for the monocrystalline BaSi2 one can expect an increase in the electron mobility value at the room temperature in comparison with polycrystalline BaSi2 due to the absence of grain boundaries scattering and decreasing electron-phonon scattering within the deformation potential approximation |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215200 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.