Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208374| Заглавие документа: | Investigation of nonradiative recombination processes in gallium phosphide |
| Авторы: | Bondarenko, G. G. Skazochkin, A. V. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 332-334. |
| Аннотация: | Ammonia flow change effect on phone Si concentration, free carrier concentration, deep centres and radiative recombination efficiency in GaP:N vapour phase layers is investigated by secondary ions mass spectroscopy methods, by deep levels transient spectroscopy and lumininescence, Received data have been used for building of empirical models of some electronic and hole traps in GaP. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208374 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 332-334.pdf | 2,95 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.