Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/20687
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Komarov, F. | - |
dc.contributor.author | Vlasukova, L. | - |
dc.contributor.author | Milchanin, O. | - |
dc.contributor.author | Mudryi, A. | - |
dc.contributor.author | Dunetz, B. S. | - |
dc.contributor.author | Wesch, W. | - |
dc.contributor.author | Wendler, E. | - |
dc.contributor.author | Karwat, C. | - |
dc.date.accessioned | 2012-10-31T09:30:08Z | - |
dc.date.available | 2012-10-31T09:30:08Z | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.citation | Acta physica polonica A. - 2011. - № 1. - С. 87-90. | ru |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/20687 | - |
dc.description.abstract | We have studied the ion-beam synthesis of GaSb nanocrystals in Si by high-fluence “hot” implantation of Sb and Ga ions followed by thermal annealing. The Rutherford backscattering, transmission electron microscopy/ transmission electron di˙raction, Raman spectroscopy and photoluminescence were used to characterize the implanted layers. It was found that the nanocrystal size increases from 5 to 60 nm in the samples annealed at 900 ±C up to 20–90 nm in those annealed at 1100 ±C. For the samples annealed at 900 ±C a broad band in the region of 0.75–1.05 eV is registered in the photoluminescence spectra. The nature of this photoluminescence band is discussed. | ru |
dc.language.iso | en | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Structure and Optical Properties of Silicon Layers with GaSb Nanocrystals Created by Ion-Beam Synthesis | ru |
dc.type | Article | ru |
Располагается в коллекциях: | Статьи сотрудников НИИ ПФП |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Structure and Optical Properties of Silicon Layers with GaSb.pdf | 843,91 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.