Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206640| Заглавие документа: | Влияние доз имплантации фосфора на время жизни т в p-Si |
| Другое заглавие: | Influence of case doses of an implantation of phosphorum to a lifetime t in p-Si / L.S.Podval’niy, S.Yu.Plaksin |
| Авторы: | Подвальный, Л. С. Плаксин, С. Е. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 188-189. |
| Аннотация: | Исследовалось влияние доз имплантации в диапазоне 1 х 1011 - 5х1015 см'2 на низкочастотные токовые шумы (НЧТШ) в тонких ионно-легированных слоях р-кремния (КДБ), имплантированного ионами фосфора с энергией 100 кэВ без термообработки пластин. Для частот меньше 2500 Гц при всех дозах облучения НЧТШ близок шуму типа M f, а показатель у плавно изменяется от 1,15 до 2,13. Изменения показателя у может быть объяснено моделью Лоренца для слабо взаимодействующих дефектных уровней. C увеличением у возрастает и время ц релаксационных процессов на всем дозовом диапазоне. |
| Аннотация (на другом языке): | The influence of case doses of an implantation in a range 1x1 011 - 5 x 1 0 15 sm'2 on low frequency current hums (LFCH) in thin ion-doped stratums of p-silicon, implantation by ions of phosphorum with energy 100 keV without heat treatment of slices was researched. For frequencies there are less than 2500 Hz at all exposure doses LFCH close to hum such as Mf , and the metric у smoothly varies from 1,15 up to 2,13. Changes of a metric у can to be explained by model of the Lorentz for weakly interacting defect levels. With increase у the time Ti of relaxational processes increases also. The dependence LFCH and factor ßs from case doses of an implantation was researched in a frequency range 40-2500 Hz and represented, in particular, at frequency 170 Hz. With rise of case doses of an implantation (from a case dose 1014 см-2) LFCH is augmented by the order, and the factor ßs (about 10'12) practically is constant on all case doses a range (1 x1 0 11 - 5 x1 0 '5 sm-2). |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206640 |
| ISBN: | 985-445-237-9 |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 188-189.pdf | 1,9 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.