Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/185191
Заглавие документа: Raman Study of CVD Graphene Irradiated by Swift Heavy Ions
Авторы: Kolesov, E. A.
Tivanov, M. S.
Korolik, O. V.
Apel, P. Yu.
Skuratov, V. A.
Saad, A. M.
Komissarov, I. V.
Swic, A.
Zukowski, P. V.
Koltunowicz, T. N.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 30-июн-2017
Издатель: Sumy State University
Библиографическое описание источника: Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2017. – Volume 9, № 3 – Pages 03020-1 - 03020-4.
Аннотация: CVD-graphene on silicon was irradiated by accelerated heavy ions (Xe, 160 MeV, fluence of 1011 cm 2) and characterized by Raman spectroscopy. The defectiveness of pristine graphene was found to be dominated by grain boundaries while after irradiation it was determined by both grain boundaries and vacancies. Respectively, average inter-defect distance decreased from ~ 24 to ~ 13 nm. Calculations showed that the ion irradiation resulted in a decrease in charge carrier mobility from ~ 4.0 × 103 to ~ 1.3•103 cm2/V s. The results of the present study can be used to control graphene structure, especially vacancies concentration, and charge carrier mobility.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/185191
ISSN: 2310-8584.
Располагается в коллекциях:Кафедра энергофизики

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
jnep_V9_03020.pdf427,39 kBAdobe PDFОткрыть


PlumX

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.