Исследования пространственного расположения одиночных дислокаций в кристаллах кремния по данным рентгеновской топо-томографии

Abstract

В работе представлены результаты изучения пространственного расположения одиночных линейных дефектов в монокристалле Si методом рентгеновской топо-томографии с использованием лабораторных и синхротронных рентгеновских источников. Описаны методики проведения экспериментов и процедура восстановления 3D-изображения дислокационных полупетель вблизи поверхности кристалла Si. Оценены размеры наблюдаемых линейных дефектов и проведено их компьютерное моделирование на основе численного решения уравнений Такаги-Топена = The spatial arrangement of single linear defects in Si single crystal has been investigated by X-ray topo-tomography using laboratory and synchrotron X-ray sources. The experimental technique and the procedure of reconstructing a 3D image of dislocation half-loops near the Si crystal surface are described. The sizes of observed linear defects are estimated and their computer simulation based on the numerical solution of the Takagi-Taupin equations was performed