Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/169012
Заглавие документа: Carrier transport in porous-Si/Ni/c-Si nanostructures / A.K. Fedotov, S.L. Prischepa, I.A. Svito, S.V. Redko, A. Saad, A.V. Mazanik, A.L. Dolgiy, V.V. Fedotova, P. Zukowski, T.N. Koltunowicz // Journal of Alloys and Compounds. - 2016. - Vol. 657. - P. 21 - 26
Авторы: Fedotov, A. K.
Prischepa, S. L.
Svito, I. A.
Redko, S. V.
Saad, A.
Mazanik, A. V.
Dolgiy, A. L.
Fedotova, V. V.
Zukowski, P.
Koltunowicz, T. N.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: фев-2016
Издатель: Elsevier B.V.
Библиографическое описание источника: Journal of Alloys and Compounds
Аннотация: In the present paper we have studied the peculiarities of carrier transport properties of nanoheterostructures containing silicon substrate covered with porous silicon layer, where pores were either filled or non-filled with ferromagnetic Ni clusters.We have carried out DC conductivity experiments as a function of temperature (ranging from 2 to 300 K) and porosity of porous silicon layer (between 30% and 70%). Presence of a surface layer with high resistance on the porous silicon top and its role in nanoheterostructure formation was revealed. It was shown that specific electrochemical kinetics of Ni deposition into porous silicon significantly influences resultant nanostructure resistance and high temperature conductance activation energy.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/169012
Располагается в коллекциях:Статьи сотрудников физического факультета

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Carrier transport in porous-SiNic-Si nanostructures.pdf1,36 MBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.