Электронная библиотека БГУ: Search

Issue Date Author Title Subject

Search

Search:
for

Current filters:

Start a new search

Add filters:

Results/Page | Sort items by In order Authors/record

Results 1-7 of 7 (Search time: 0.0 seconds).

previous
1
next

Item hits:

Preview	Issue Date	Title	Author(s)
	2012	ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
	2010	Электронные свойства комплексов олово-вакансия в кристаллах германия	Литвинов, В. В.; Покотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Хируненко, Л. И.
	2010	Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 к	Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
	2016	Особенности отжига межузельных атомов углерода в кремнии р-типа	Ластовский, С. Б.; Якушевич, А. С.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
	2008	Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структур	Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В.
	2007	Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:B	Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Абросимов, Н. В.
	2018	Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типа	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А.