Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49736| Заглавие документа: | Электронные свойства комплексов олово-вакансия в кристаллах германия |
| Авторы: | Литвинов, В. В. Покотило, Ю. М. Петух, А. Н. Маркевич, В. П. Ластовский, С. Б. Хируненко, Л. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 168-171. |
| Аннотация: | В данной работе методами релаксационной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) и эффекта Холла идентифицированы комплексы Sn-V в облученных кристаллах Ge, изучены их электронные свойства и термическая устойчивость. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49736 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| В.В. Литвинов, Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.П. Маркевич, С.Б. Ластовский, Л.И. Хируненко.pdf | 263,51 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.