Электронная библиотека БГУ: Поиск

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Поиск

Поиск:
запрос

Текущие фильтры:

Начать новый поиск

Добавить фильтры:

Результаты/Страница | Сортировать документы по В порядке Авторы/запись

Результаты 11-20 из 27.

Найденные документы:

Предварительный просмотр	Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
	2017	Радиационные экраны для полупроводниковых приборов на основе электролитически осажденных покрытий Bi и эффективность их защиты от электронного излучения	Тишкевич, Д. И.; Грабчиков, С. С.; Ластовский, С. Б.; Цыбульская, Л. С.; Шендюков, В. С.; Труханов, А. В.
	2012	ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
	2012	ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ	Богатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Белоус, А. И.
	2012	ТЕРМИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ ДЕФЕКТОВ МЕЖДОУЗЕЛЬНОГО ТИПА В КРЕМНИИ И КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СПЛАВАХ, ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОМ	Макаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Абросимов, Н. В.
	2001	Влияние радиационных дефектов на параметры мощных биполярных транзисторных структур	Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Кульгачев, В. И.; Ануфриев, Л. П.; Рубцевич, И. И.; Голубев, Н. Ф.
	2007	Использование численного моделирования для интерпретации данных емкостной спектроскопии кремниевых структур, облученных нейтронами	Макаренко, Л. Ф.; Замятин, Н. И.; Ластовский, С. Б.
	2008	Образование дефектов в запробежной области кремниевых структур, облученных альфа-частицами	Макаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Хиврич, В. И.
	2008	Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структур	Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В.
	2007	Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:B	Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Абросимов, Н. В.
	2018	Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типа	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А.