Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/125561
Заглавие документа: Anisotropic magnetoresistance of Ni nanorod arrays in porous SiO2/Si templates manufactured by swift heavy ion-induced modification
Авторы: Fedotova, J. A.
Ivanov, D. K.
Mazanik, A. V.
Svito, I. A.
Streltsov, E. A.
Saad, A. M.
Zukowski, P. V.
Fedotov, A. K.
Bury, P.
Apel, P. Yu.
Дата публикации: ноя-2015
Издатель: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics
Библиографическое описание источника: Acta Physica Polonica A. - 2015. - Vol. 128, № 5. - P. 894 - 896
Аннотация: In this work anisotropic magnetoresistance in nanogranular Ni lms and Ni nanorods on Si(100) wafer substrates was studied in wide ranges of temperature and magnetic feld. To produce Ni films and nanorods we used electrochemical deposition of Ni clusters either directly on the Si substrate or into pores in SiO2 layer on the Si substrate. Pores, randomly distributed in the template have diameters of 100-250 nm and heights about 400-500 nm. Comparison of temperature dependences of resistance and magnetoresistance in Ni films and n-Si/SiO2/Ni structures with Ni nanorods showed that they are strongly dependent on orientation of magnetic field and current vectors relative to each other and the plane of Si substrate. Moreover, magnetoresistance values in n-Si/SiO2/Ni nanostructures can be controlled not only by electric field applied along Si substrate but also by additionally applied transversal bias voltage.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/125561
Располагается в коллекциях:Кафедра энергофизики

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Anisotropic magnetoresistance of Ni nanorod arrays in porous SiO2Si templates manufactured by swift heavy ion-induced modification.pdf373,01 kBAdobe PDFОткрыть

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.