Формирование бимембранных матричных наноструктур на основе анодного оксида алюминия

Abstract

В работе представлены технологические приемы формирования бимембран на основе Al2O3 с использованием двухстадийного двухстороннего анодирования до полного сквозного прокисления исходных Al пластин. Основная проблема при таком подходе связана с высокими требованиями к степени шероховатости и качеству обработки поверхности исходного Al материала. Из-за этого на заключительной стадии глубокого сквозного двухстороннего анодирования может возникнуть эффект отсечки подвода потенциала, приводящий к появлению локальных недоанодированных Al включений внутри свободных Al2O3 бипластин в области стыка двух встречных барьерных слоев. Ликвидация Al вкраплений осуществлялась применением биполярного анодирования после основной стадии глубокого сквозного анодирования.