Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/107199| Заглавие документа: | Вольт-фарадные характеристики кремниевых МОП-структур с пленками силиката диспрозия |
| Авторы: | Бабушкина, Н. В. Малышев, С. А. Жигулин, Д. В. Романова, Л. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | В работе проведено исследование вольт-фарадных характеристик МОП-структур Ме-DySiO-Si с пленками силиката диспрозия DySiO, полученными в процессе термического окисления пленок диспрозия, осажденных на пленки диоксида кремния. Таким образом, при взаимодействии пленок диспрозия с пленками SiO2 с физической толщиной ~5 нм могут формироваться пленки силиката DySiO с эквивалентной толщиной ~5 нм, которые по электрическим характеристикам в МОП-структуре являются однослойным диэлектриком. При увеличении толщины пленок диспрозия образуется диэлектрик из двух слоев, являющийся по электрическим характеристикам двухслойным диэлектриком. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/107199 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.32-35.pdf | 772,42 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.