Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2014. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Поиск


Текущие фильтры:
Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.

 | 
Результаты 51-60 из 87.
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2014Магнитные характеристики соединений Sr2-хBaхFeMoO6-δ и их анализ с учетом данных по низкотемпературной теплоемкостиПетров, А. В.; Блохин, А. В.; Каланда, Н. А.; Ковалев, Л. В.
2014Формирование бимембранных матричных наноструктур на основе анодного оксида алюминияШиманович, Д. Л.; Сокол, В. А.; Чушкова, Д. И.
2014Структурные изменения в кристаллах кремния, вызванные действием низкоэнергетического рентгеновского излученияСтебленко, Л. П.; Поперенко, Л. В.; Юргелевич, И. В.; Теселько, П. А.; Мельник, А. К.; Курилюк, А. Н.; Кобзарь, Ю. Л.; Науменко, С. Н.; Калиниченко, Д. В.; Крит, А. Н.
2014Формирование пористого кремния в импульсном гальваностатическом режимеЧубенко, Е. Б.; Редько, С. В.; Шерстнёв, А. И.; Петрович, В. А.; Бондаренко, В. П.
2014Факторы эффективного управления электронными состояниями донора во внешнем электрическом полеЛевчук, Е. А.; Макаренко, Л. Ф.
2014Исследование защитных свойств экранов на основе композита W-Cu для изделий электронной техники от протонов радиационных поясов ЗемлиЯкушевич, А. С.; Ластовский, С. Б.; Богатырев, Ю. В.; Грабчиков, С. С.; Василенков, Н. А.
2014Электронный парамагнитный резонанс нейтронно облученных поликристаллов CVD-алмазовХомич, А. В.; Хомич, А. А.; Лапчук, Т. М.; Олешкевич, А. Н.; Королик, О. В.; Мазаник, А. В.; Мамонтова, А. А.; Лапчук, Н. М.
2014Структурные особенности нанокомпозита металл-углеродМанукян, А. С.; Канюков, Е. Ю.; Мирзаханян, А. А.; Петров, А. В.; Шароян, Э. Г.
2014Влияние водородной обработки на структурные свойства пленок Si / SiGe, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы при низком давленииНовиков, А. Г.; Зайков, В. А.; Прокопьев, С. Л.; Наливайко, О. Ю.; Гайдук, П. И.
2014Решение проблемы расчета ширины запрещенной зоны полупроводников в рамках метода функционала плотностиГусаков, В. Е.

Просмотр