Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/10477
Заглавие документа: Monte Carlo simulation of electron transport in deep submicron MOSFETs with three 40 nm gates
Авторы: Zhevnyak, O. G.
Borzdov, A. V.
Speransky, D. S.
Borzdov, V. M.
Тема: ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Дата публикации: 2009
Издатель: World Scientific Pub Co Inc.
Библиографическое описание источника: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures: Reviews and Short Notes. Proceedings of the International Conference on Nanomeeting 2009 (Minsk, Belarus, 26 – 29 May 2009). - 2009. - P. 573-576
Аннотация: The electrophysical parameters of three-gate short n-channel MOSFETs in comparison with those of conventional single-gate MOSFETs are investigated. By means of Monte Carlo simulation such parameters as, in particular, electron energy and mobility are calculated. It is shown that under certain conditions the values of these parameters may be higher in three-gate MOSFETs.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/10477
Располагается в коллекциях:Статьи факультета радиофизики и компьютерных технологий

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Наномитинг2009.doc95,5 kBMicrosoft WordОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.