| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2017 | Генерация гармоник терагерцового диапазона в GaAs/AlAs квантовой проволоке | Борздов, A. B.; Борздов, В. М. |
| 1999 | Дрейфовая скорость электронов в высоколегированной подложке кремниевого МОП-ПТ | Андреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Русецкий, А. М. |
| 2003 | Интенсивности рассеяния вторичных дырок в w-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторов | Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Комаров, Ф. Ф.; Зезюля, А. В. |
| 2016 | Моделирование ВАХ субмикронного КНИ-МОП-транзистора с учетом процесса ударной ионизации | Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Дорожкин, Н. Н. |
| 2011 | Моделирование методом Монте-Карло приборных структур СБИС и УБИС | Борздов, В. М.; Борздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сперанский, Д. С.; Комаров, Ф. Ф. |
| 2017 | Моделирование методом Монте-Карло токовых флуктуаций в GaAs | Новиков, И. С.; Борздов, В. М. |
| 2017 | Моделирование методом Монте-Карло фототока субмикронного КНИ-МОП-транзистора при воздействии пикосекундного лазерного излучения | Борздов, А. В.; Борздов, В. М. |
| 2006 | Моделирование переходных процессов в GaAs-квантовой проволоке с учетом уширения энергетических уровней | Жевняк, О. Г.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О. |
| 2010 | Моделирование структуры и электрических характеристик P№-транзистора при различных параметрах эпитаксиальной плёнки | Дудар, Н. Л.; Борздов, В. М. |
| 2015 | Моделирование токовых флуктуаций в полупроводниковых наноструктурах. По заданию 2.2.06 «Разработка моделей для расчета и исследования квантоворазмерных наноструктур». ГПНИ «Функциональные и композиционные материалы, наноматериалы» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. Борздов | Борздов, В. М.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С.; Сетун, А. Н. |
| 2016 | Моделирование шумовых характеристик субмикронного кремниевого диода со структурой n+-n-n+ многочастичным методом Монте-Карло | Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Кучинский, П. В. |
| 5-дек-2012 | Основы радиоэлектроники : электронный учебно-методический комплекс / В. М. Борздов, О. Г. Жевняк; БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий | Борздов, В. М.; Жевняк, О. Г. |
| 7-июл-2009 | Основы радиоэлектроники. №ТД-G.216/тип. | Борздов, В. М. |
| 2011 | Провести исследования и разработать программно-математический комплекс комплекс моделирования процессов электромиграции в металлизации субмикронных ИМС : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Молофеев, В. М. | Молофеев, В. М.; Борздов, В. М.; Гопка, А. В.; Поздняков, Д. В. |
| 2010 | Разработать модели и программное обеспечение для расчета характеристик приборов на системах с низкоразмерным электронным газом с размерами активных областей 100-10 нанометров : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Борздов, В. М. | Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Борздов, А. В. |
| 2010 | Разработать физико-математические модели, алгоритмы и программный комплекс для расчета электрических характеристик кремниевых субмикронных моп-транзисторов со структурным каналом : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. Борздов, В. М. | Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сетун, А. Н.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С. |
| 2016 | Разработка нового способа изготовления транзистора со статической индукцией | Лагунович, Н. Л.; Турцевич, А. С.; Борздов, В. М. |
| 2012 | РАСЧЕТ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА С ДЛИНОЙ КАНАЛА 50 НМ | Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М. |
| 2004 | Самосогласованное моделирование методом Монте- Карло переноса электронов в гетероструктуре GAAS/ALxGA1-XAS | Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Комаров, Ф. Ф. |
| 2002 | Самосогласованный расчет энергетических уровней в цепочке квантовых ям с одномерным электронным газом | Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Комаров, Ф. Ф. |
