Logo BSU

Просмотр Авторы Янковский, Ю. Н.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 54 - 66 из 66 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2014Сквозное моделирование кремниевых диодов-генераторов шума для конструкторско-технологической оптимизацииБуслюк, В. В.; Дереченник, С. С.; Латий, О. О.; Янковский, Ю. Н.
2022Спектры нарушенного полного внутреннего отражения азотированных структур SiO2/SiОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н.; Бринкевич, Д. И.
2020Спектры нарушенного полного внутреннего отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами сурьмыБринкевич, Д. И.; Бринкевич, С. Д.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2019Спектры НПВО имплантированных ионами бора пленок диазохинонноволачного фоторезиста на кремнииПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Бринкевич, С. Д.; Гринюк, Е. В.; Янковский, Ю. Н.
2019Спектры НПВО имплантированных ионами бора пленок диазохинонноволачного фоторезиста на кремнииПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Бринкевич, С. Д.; Гринюк, Е. В.; Янковский, Ю. Н.
2010СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ ГАЗОФАЗНОЙ И ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.
2018Трансформация спектров отражения диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионов сурьмыХарченко, А. А.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.; Янковский, Ю. Н.
2008Формирование сильнолегированных «карманов» КМОП-структур высокоэнергетичной ионной имплантациейБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, О. Н.; Янковский, Ю. Н.
10-сен-2023Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60СоКовальчук, Н. С.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2021Электрофизические параметры p–i–n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Мавланов, Г. Х.; Исмайлов, Б. К.; Кенжаев, З. Т.
2017Электрофизические параметры генераторных диодов для создания широкополосного шумаБуслюк, В. В.; Нерода, И. Ю.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2020Электрофизические параметры диодов генераторов широкополосного шумаБуслюк, В. В.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Янковский, Ю. Н.
2022Электрофизические характеристики силовых МОП-транзисторов, дополнительно имплантированных ионами азотаОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.