Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/273521| Заглавие документа: | Электрофизические параметры p–i–n-фотодиодов |
| Авторы: | Оджаев, В. Б. Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Филипеня, В. А. Шестовский, Д. В. Явид, В. Ю. Янковский, Ю. Н. Мавланов, Г. Х. Исмайлов, Б. К. Кенжаев, З. Т. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Библиографическое описание источника: | Наноструктурные полупроводниковые материалы в фотоэнергетике – 2021: материалы II Междунар. науч. конф. (Ташкент, 19–20 ноября 2021 г.). С. 24–29. |
| Аннотация: | В работе проведен анализ изменения электрофизических параметров p-i-n-фотодиодов на основе кремния в зависимости от величины внешнего смещения и температуры. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/273521 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Конференция Ташкент.pdf | 620,51 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.