Logo BSU

Просмотр Авторы Власукова, Л. А.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 38 - 57 из 61 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2015Разработка методов структурного и фазового анализа характеристик тонких диэлектрических, металлических и полупроводниковых слоев субмикронных интегральных микросхем с проектными нормами 0,5 - 0,18 мкм на базе просвечивающей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Л. А. ВласуковаВласукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Моховиков, М. А.; Ковалева, Т. Б.
2013Разработка научных основ и физико-технологических режимов трековой нанолитографии на структурах Al2O3/SiO2/Si для систем памяти с высокой плотностью ячеек : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель Ф. Ф. КомаровКомаров, Ф. Ф.; Камышан, А. С.; Власукова, Л. А.; Романовский, Д. В.; Гришин, П. А.; Дзираева, Ю. О.
2010Разработка физико-технологических основ формирования канальных структур SiO2 для трековой электроники : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Власукова, Л. А.Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Мильчанин, О. В.; Леонтьев, А. В.; Цыбульский, В. В.; Терентьева, О. В.; Дзираева, Ю. О.
2016Разработка физико-технологических процессов формирования светоизлучающих структур на основе системы SiO2/Si с квантовыми точками полупроводников A2B6 для систем оптоэлектроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель А. Ф. КомаровКомаров, А. Ф.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Романов, И. А.
2020Разработка физико-технологических режимов формирования и исследование многослойных структур на основе композиций нитрида и оксида кремния для кремниевой оптоэлектроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Л. А. ВласуковаВласукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Романов, И. А.
2007Рассеяние рентгеновских лучей на структурах с протяженными наноразмерными каналамиДудчик, Ю. И.; Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Войтик, О. Л.; Делендик, К. И.; Снигирев, А. А.; Снигирева, И. И.; Григорьев, М. В.
2017Свечение ионно-имплантированного кремния в ИК-диапазоне: люминесценция от дислокаций и нанокристаллов А3В5Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Пархоменко, И. Н.; Мильчанин, О. В.; Wendler, E.; Мудрый, А. В.; Живулько, В. Д.
2010Синтез нанокластеров InAs в кремнии методом высокодозной ионной имплантации с последующей термообработкойКомаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Гребень, М. В.; Мудрый, А. В.; Жук, Ю.; Жуковски, П.; Карват, Ч.
2014Спектры комбинационного рассеяния света гетерогенных наноструктур, полученных облучением кремнийорганических пленок ионами гелияБелявский, Д. С.; Леонтьев, А. В.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.
2013Структура и оптические свойства системы Sio2/Si с нанокластерами оловаКомаров, Ф. Ф.; Моховиков, М. А.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.
2015Структура и фотолюминесценция кристаллического кремния с нанокристаллами InSb, сформированными высокодозной ионной имплантацией.Комаров, Ф. Ф.; Романов, И. А.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.
2018Структура, фото- и электролюминесценция диоксида кремния, имплантированного высокими дозами ионов оловаРоманов, И. А.; Моховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Вендлер, Э.; Мудрый, А. В.; Живулько, В. Д.
2014Структурно-фазовые превращения в легированных оловом слоях диоксида кремнияМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Вендлер, Э.; Веш, В.
2020Структурно-фазовый состав и люминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Zn и (Zn+O): влияние режимов имплантации и термообработкиМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Żuk, J.; Wendler, E.; Мудрый, А. В.; Королев, Д. С.
ноя-2019Трансформация полупроводниковых квантовых точек в диэлектрической матрице при высокоэнергетическом ионном облученииЮвченко, В. Н.; Комаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.
2013Формирование излучательных центров в SiO2 при высокодозной имплантации оловаКомаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.
ноя-2019Формирование нанокластеров ZnSe в диоксиде кремния методом высокодозной ионной имплантации: моделирование и экспериментМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Wendler, E.
2017Формирование нанокластеров ZnSe и ZnS в слоях SiO2 с использованием режима «горячей» имплантации примесиМоховиков, М. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Wendler, E.
2004Формирование нанокластеров и нанопор в SiO2 ионно-лучевыми методамиКомаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мудрый, А. В.; Комаров, А. А.; Мильчанин, О. В.; Гайдук, П. И.; Ювченко, В. Н.; Гречный, С. С.
2005Формирование нанокластеров и нанопор в SiO2 ионно-лучевыми методамиКомаров, Ф. Ф.; Власукова, Л. А.; Мудрый, А. В.; Комаров, А. А.; Мильчанин, О. В.; Гайдук, П. И.; Ювченко, В. Н.; Гречный, С. С.