Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/178732
Заглавие документа: Формирование нанокластеров ZnSe и ZnS в слоях SiO2 с использованием режима «горячей» имплантации примеси
Авторы: Моховиков, М. А.
Комаров, Ф. Ф.
Мильчанин, О. В.
Власукова, Л. А.
Пархоменко, И. Н.
Wendler, E.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2017
Библиографическое описание источника: Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы четвертой Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 11–12 мая 2017 г. / М-во образования Респ. Беларусь, НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» Белорус. гос. ун-та; редкол.: В. И. Попечиц (гл. ред.), Ю. И. Дудчик, Г. А. Сенкевич. – Минск, 2017. – С. 273-275.
Аннотация: В работе продемонстрирована возможность формирования в слоях SiO2 наноразмерных кластеров ZnSe и ZnS. Использовались «горячие» (550С) условия имплантации ионов Zn, Se и S c последующей высокотемпературной обработкой (900С). Установлено, что после «горячей» имплантации примесей происходит формирование фаз прямозонных полупроводников ZnSe и ZnS в виде наноразмерных (2-15 нм) выделений. Последующая термообработка приводит к существенной перестройке структуры кластеров в имплантированных слоях диоксида кремния - наряду с мелкими выделениями в приповерхностной области наблюдается и формирование крупных кристаллитов (до 50-60 нм) в области максимальных концентраций примесей
Доп. сведения: Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/178732
Располагается в коллекциях:2017. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
273-275.pdf516,13 kBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.