Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/12590| Заглавие документа: | Photoluminescence of the GaAs Superlattices with Quasi-Delta-Doped Layers |
| Авторы: | Zvonkov, V. N. Aleshkin, V. Ya. Gavrilenko, V. I. Kononenko, V. K. Kunert, H. W. Morozov, S. V. Ushakov, D. V. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2009 |
| Издатель: | Bentham Open |
| Библиографическое описание источника: | The Open Optics Journal. - 2009. - № 3. - P. 70-73 |
| Аннотация: | The GaAs short-period superlattices have been grown for the first time by the metal-organic hydride epitaxy method using Se and C for quasi-\delta-doping. Photoluminescence spectra measured at 4.2 K display well-distinguished peaks, which coincide with transitions between quantizied levels of electrons and holes in the potential relief quantum wells. To describe observed phenomena in quasi-\delta-doped superlattices a theory is developed with taking into account existing tails of the density of states. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/12590 |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 2009_OpenOpticsJ_3p70-73.pdf | 1,2 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.