Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Химический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ХИМИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Статьи химического факультета
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/9995
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorIvanovskaya, M.-
dc.contributor.authorKotsikau, D.-
dc.contributor.authorOrlik, D.-
dc.date.accessioned2012-05-25T07:38:19Z-
dc.date.available2012-05-25T07:38:19Z-
dc.date.issued2009-
dc.identifier.citationMater. Research Institute for Physical-Chemical Problemsru
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/9995-
dc.description.abstractThe influence of structural features of In2O3, SnO2, MoO3 and Fe2O3 simple oxides and their composites on the properties of the corresponding semiconductor gas sensors with regards to different gases (CO, CH4, NH3, C2H5OH, CH3OH, NO, NO2, O3) have been studied. Structural peculiarities of oxide systems obtained by sol-gel technology have been considered. It was shown the possibility to control the sensor sensitivity to the mentioned above gases by varying chemical composition of sensitive materials and adjusting their structure, as well as by regulating of detecting temperature.ru
dc.language.isoenru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химияru
dc.titleGAS-SENSITIVE PROPERTIES OF OXIDE SYSTEMS BASED ON In2O3 AND SnO2 OBTAINED BY SOL-GEL TECHNOLOGYru
dc.typeArticleru
Располагается в коллекциях:Статьи химического факультета

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Article_english.doc1,7 MBMicrosoft WordОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.