Формирование и изучение свойств наногетероструктур на основе широкозонных оксидов (In2O3, TiO2, ZnO) и сульфида кадмия

Abstract

Сформированы мезопористые пленки широкозонных оксидных полупроводников (ZnO, TiO2 и In2O3) на проводящих подложках и проведена их структурная характеризация. Полученные пленки с развитой морфологией и высокой удельной площадью поверхности (порядка 100 м2 /г) были сенсибилизированы к видимому свету наночастицами CdS. Нанесение CdS осуществлялось последовательной субмонослойной адсорбцией катионов Cd2+ и анионов S2- . Благодаря тесному электрическому контакту наночастиц CdS c подложкой, полученные гетероструктуры характеризуюся высокой фотоэлектрохимической активностью как в видимой области спектра (Y=80%), так и за еѐ пределами (Y=25%). Это позволяет рассматривать полученные гетероструктуры ZnO/CdS, TiO2/CdS и In2O3/CdS как перспективные фотоаноды в солнечных элементах III поколения.